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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車(chē)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
整流二極管
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
瞬態(tài)抑制二極管
靜電保護(hù)二極管
MOSFET
功率三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
汽車(chē)SiC肖特基二極管
汽車(chē)SiC MOSFET
IGBT汽車(chē)電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管

汽車(chē)電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車(chē)電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車(chē)電子小信號(hào)
小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管小信號(hào)肖特基二極管小信號(hào)穩(wěn)壓管小信號(hào)三極管功率三極管小信號(hào)數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車(chē)電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
汽車(chē)SiC肖特基二極管
汽車(chē)SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車(chē)電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
壓接整流模塊
壓接晶閘管模塊
壓接晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車(chē)電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開(kāi)關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

3GBJ三相插件橋封裝新品

3GBJ三相插件橋封裝新品 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹單相整流電路進(jìn)行整流，也就是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，但僅使用變壓器次級(jí)線圈的單相進(jìn)行轉(zhuǎn)換，二極管連接到單向變壓器的次級(jí)繞組。這種電路的缺點(diǎn)就是紋波系數(shù)高。
三相橋式整流電路由6個(gè)二極管組成，共陰極組在正半周期導(dǎo)電，共陽(yáng)極組在負(fù)半周期導(dǎo)電，正負(fù)半周期都有電流流過(guò)變壓器，因此變壓器使用率提高。三相整流橋式電路有輸出電壓高且脈動(dòng)小，網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)高以及動(dòng)態(tài)響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)，是家用電器、工業(yè)電源、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、電焊機(jī)等應(yīng)用的優(yōu)良選擇。
我司充分調(diào)研市場(chǎng)需求，3GBJ在工業(yè)領(lǐng)域需求量較多，拓寬工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用范圍，也符合公司整體戰(zhàn)略規(guī)劃，為此開(kāi)發(fā)3GBJ三相插件橋系列產(chǎn)品。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、3GBJ三相橋封裝外型類(lèi)似我司6KBJ，外置5只引腳，本體更大，有更好的散熱性能，內(nèi)置6顆芯片，電流檔包含15A、25A、35A、50A，電壓覆蓋600V-1600V，具有正向壓降低、反向漏電流小、浪涌能力強(qiáng)等特點(diǎn)
2、揚(yáng)杰深度IDM模式，自有晶圓設(shè)計(jì)及制造工廠，內(nèi)部封裝Photo Glass工藝芯片，三層鈍化保護(hù)，穩(wěn)定的高溫特性以及信賴(lài)性能力；可以配合客戶(hù)開(kāi)發(fā)特定應(yīng)用場(chǎng)景的指定產(chǎn)品，做到快速開(kāi)發(fā)，及時(shí)交付。

規(guī)格書(shū)

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